NCE80H11D 80V 110A 代替 IRF1312S

NCE80H11D是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用，可完全代替IRF1312S.

NCE80H11D是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。



产品应用：



电动车控制器

逆变器、UPS电源、工控电源、太阳能电源、机箱电源、电力电源

开关电源、照明电源

定制电源

充电器、电焊机、机电设备

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