NCE55H12是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用,可完全替代IRF3205,FDP3205。
润得源代理直销 NCE55H12 55V 120A
发布日期 :2012-05-20 12:01访问:1次发布IP:119.139.178.153编号:1231172
详细介绍
NCE55H12是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用,可完全替代IRF3205,FDP3205。
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